微压力传感器是采用半导体材料和MEMS工艺制造的新型压力传感器。与传统压力传感器相比，微压力传感器具有精度高、灵敏度高、动态特性好、体积小、耐腐蚀、成本低等优点。纯单晶硅的材料疲劳小，采用这种材料制造的微压力传感器的长期稳定性好。同时，微压力传感器易于与微温度传感器集成，增加温度补偿精度，大幅提高传感器的温度特性和测量精度。如果将2个微压力传感器集成，又可以实现静压补偿，从而提高压力传感器的静压特性。由此可见，微压力传感器具有许多传统压力传感器不具备的优点，能够很好地满足石化行业对压力传感器的需求。
压力传感器所用的元件材料是具有压阻效应的单晶硅、扩散掺杂硅和多晶硅。根据晶体不受定向应力时，电导率是同性的，只有受定向应力时才表现出各向异性，由于应力能引起能带的变化，能谷能量移动，导致电阻率的变化，于是就有电阻的变化，从而产生压阻效应。单晶硅效应包括n型和p型硅压阻效应。选用扩散硅目的在于在设计制造压力传感器时可根据不同温度下硅扩散层的压阻特性选择合适的扩散条件，力求使压力传感器具有良好的性能。多晶硅在传感器中有广泛的用途，可作为微结构和填充材料、敏感材料。
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